银河娱乐场官网_银河娱乐平台_银河娱乐场网址,官网,官方网站,官方网址

    <delect id="xtxxx"><ins id="xtxxx"><p id="xtxxx"></p></ins></delect>

    <p id="xtxxx"><listing id="xtxxx"></listing></p>

    <delect id="xtxxx"></delect>

      <delect id="xtxxx"></delect>

        当前位置 >>  首页 >> 综合信息 >> 图片新闻

      图片新闻

      2018-11-14 北京市政协第八次“科技讲堂”在微电子所举行.jpg
      北京市政协第八次“科技讲堂”在微电子所举行
      2018-11-14

      11月13日,北京市政协第八次“科技讲堂”在微电子所举行,围绕中国集成电路产业创新发展进行专题学习。微电子所所长叶甜春作授课报告。北京市政协主席吉林,副主席杨艺文、陈军,以及北京市...


      2018-10-22 中国集成电路产业发展创新战略研讨会暨微电子所建所60周年庆祝大会召开.jpg
      中国集成电路产业发展创新战略研讨会暨微电子所建所60周年庆祝大会召开
      2018-10-22

      10月20日,中国集成电路产业发展创新战略研讨会暨庆祝微电子所建所60周年大会召开。来自院内兄弟单位、行业企业、高校、科研院所和地方政府的各级领导、专家学者和业界朋友,以及微电子所领...


      2018-08-30 微电子所在8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆.jpg
      微电子所在8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆
      2018-08-30

      近日,中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆。该项技术突破,实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调,使Ge...


      2018-06-25微电子所在氮化镓界面态研究中取得创新性进展.png
      微电子所在氮化镓界面态研究中取得创新性进展
      2018-06-25

      近期,中国科学院微电子研究所刘新宇研究员团队及合作者(中国科学院固体物理研究所王先平课题组、中国科学院微电子研究所先导中心工艺平台等)在氮化镓界面态起源研究方面取得创新性进展。...


      2018-04-24微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得重要进展.png
      微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得重要进展
      2018-04-24

      近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线( Gate-all-around silicon nanowire , GAA SiNW ) MOS器件的结构和制造方法研究上取得...


      Sitemap

      AG真人百家乐|官网| 百家乐娱乐|百家乐网址| PT老虎机|老虎机游戏平台| PT老虎机|新老虎机平台| JDB夺宝电子|JDB电子游戏|